piikarbidi (SiC) on sähköä johtava, mutta sen johtavuus voi vaihdella sen seostuksen ja piikarbidin erityismuodon mukaan. SiC on puolijohde, mikä tarkoittaa, että sen sähkönjohtavuutta voidaan säätää lisäämällä epäpuhtauksia (doping) sen kiderakenteeseen.
SiC-kiteitä on erilaisia, kuten n-tyypin ja p-tyypin:
N-tyypin SiC: Fosforin tai typen kaltaisten elementtien seostus tuo ylimääräisiä elektroneja, mikä parantaa sen johtavuutta.
P-tyypin SiC: Seostus elementeillä, kuten alumiinilla tai boorilla, voi luoda "reikiä" (positiivisia varauksenkuljettajia), jotka myös edistävät sähkönjohtavuutta.
